AD4S3200316G22-BSSC — это модуль памяти DDR4-3200(CL22)-22-22 SDRAM. SPD запрограммирован на стандартную задержку JEDEC 3200 Мбит/с, синхронизацию 22-22-22 при 1,2 В. Модуль состоит из 8Gb CMOS DDR4 SDRAM в корпусе FBGA и одного 4Kbit EEPROM в 8pin корпусе TDFN на 260pin стекло-эпоксидной печатной плате.
Модуль представляет собой двухрядный модуль памяти и предназначен для установки в 260-контактные разъемы краевого разъема. Синхронная конструкция обеспечивает точное управление циклом с использованием системных часов. Транзакции ввода-вывода данных возможны на обоих концах DQS. Диапазон рабочих частот, программируемая задержка и длина пакета позволяют использовать одно и то же устройство для различных высокопроизводительных систем памяти с высокой пропускной способностью.
Преимущества:
- Питание (норм.):
VDD и VDDQ = 1,2 В ± 0,06 В
VPP = 2,5 В + 0,25 В / -0,125 В
VDDSPD = 2,5 В (от 2,25 В до 3,6 В) - Ввод/вывод с псевдооткрытым стоком 1,2 В
- Длина взрыва (BL): 8 и 4 с прерыванием взрыва (BC)
- Двунаправленный дифференциальный строб данных (DQS и /DQS)
- Дифференциальный тактовый вход
- DLL выравнивает переход DQ и DQS с переходом CK
- Архитектура с удвоенной скоростью передачи данных; две передачи данных за такт
- 16 внутренних банков; 4 группы по 4 банка в каждой
- Внутренняя самокалибровка через вывод ZQ (RZQ: 240 Ом ± 1%)
- Режим самообновления / Автоматическое обновление с низким энергопотреблением (LPASR) / Обновление с контролем температуры (TCR)
- Рабочие температуры от 0°C до 95°C
- 64 мс, 8192 цикла обновления при температуре от 0°C до 85°C / 32 мс, 8192 цикла обновления при температуре от 85°C до 95°C
- 8-битная архитектура предварительной выборки
- Завершение на кристалле, номинальное, парковочное и динамическое ODT
- Инверсия шины данных для шины данных (DBI)
- Шина данных с записью контрольной суммы (CRC)
- Изделия, не содержащие свинца и галогенов, соответствуют требованиям RoHS.
